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Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 (M471A1K43CB1-CTD)

Typ DDR4 SO-DIMM 260-Pin
Ranks/Bänke single rank, x8
Module 1x 8GB
JEDEC PC4-21300S
CAS Latency CL 19 (entspricht ~14.25ns)
Row-to-Column Delay tRCD 19 (entspricht ~14.25ns)
Row Precharge Time tRP 19 (entspricht ~14.25ns)
Spannung 1.2V
Modulhöhe 30mm
Gehäuse N/​A
Besonderheiten Samsung A-Die
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Samsung M471A1K43CB1-CTD
SAMSUNG SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 (M471A1K43CB1-CTD)
(Art# 270173)
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Samsung M471A1K43CB1-CTD
Samsung DDR4 8 GB SO DIMM 260-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert nicht-ECC (M471A1K43CB1-CTD)
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Samsung M471A1K43CB1-CTD
RAM SO-DIMM DDR4 8GB / PC2666 /UB/ Samsung
(Art# MRLYY4L), SO-DIMM 260 / CL17 / 1.2V / 1Rx8
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Samsung M471A1K43CB1-CTD
Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 8GB, DDR4 SO-DIMM 260-Pin, 1.20V
(Art# 2141201)
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Samsung M471A1K43CB1-CTD
Samsung SO-DIMM, DDR4, 8GB, 2666MHz Retail
Proven DRAM Module Solution in the Global Market
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Samsung SO-DIMM, DDR4, 8GB, 2666MHz
Elektronik>Computer & Software>PC-Komponenten>Arbeitsspeicher (Art# m00006AZRQ)
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Ranks/Bänke single rank, x8
Module 1x 8GB
JEDEC PC4-21300S
CAS Latency CL 19 (entspricht ~14.25ns)
Row-to-Column Delay tRCD 19 (entspricht ~14.25ns)
Row Precharge Time tRP 19 (entspricht ~14.25ns)
Spannung 1.2V
Modulhöhe 30mm
Gehäuse N/​A
Besonderheiten Samsung A-Die
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