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Arbeitsspeicher (RAM) » Speicher mit Hersteller: takeMS, CAS Latency (CL): 9

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Typ: DDR3 (5) DDR3 SO-DIMM (1)
Hersteller: ADATA Aeneon AMD Apacer Avexir CompuStocx Corsair Crucial Elixir exceleram extrememory G.Skill GeIL Goodram Kingston Mach Xtreme Technology Micron Mushkin Mustang OCZ Panram Patriot PNY Qimonda Samsung SK hynix SK Hynix Super Talent takeMS (6) TeamGroup Transcend Sonstige Alle
Kitgröße: ab 4GB (1) unbekannt (5)
Einzelmodulgröße: 1GB (2) 2GB (2) 4GB (1) 8GB (1)
Anzahl Module: 1x (5) 2x (1)
Speichertakt: 1333MHz (5) 1600MHz (1)
Speichertakt ab: ab 1333MHz (6) ab 1600MHz (1)
CAS Latency (CL): 2 2.5 3 4 5 6 7 8 9 (6) 10 11 12 13 14 15 16 17 Alle
RAS Precharge Time (tRP): 9 (1) unbekannt (5)
RAS-to-CAS Delay (tRCD): 9 (1) unbekannt (5)
Row Active Time (tRAS): 24 (1) unbekannt (5)
Mindestspannung: 1.50V (6)
Maximalspannung: 1.50V (5) 1.80V (1)
Herstellergarantie: 10 Jahre (6)
Gelistet seit: ab 2010 (6) ab 2011 (4) ab 2012 (1)
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takeMS DIMM Kit 4GB, DDR3-1333, CL9 (DMS4GB364E08x-139)

Typ: DDR3 DIMM 240-Pin • Module: 2x 2GB • JEDEC: PC3-10667U • Spannung: 1.50V • Besonderheiten: N/A • ...

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takeMS DIMM 4GB, DDR3-1600, CL9 (TMS4GB364E081-169EM)

Typ: DDR3 DIMM 240-Pin • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC3-12800U • Spannung: 1.50V • Besonderheiten: N/A • ...

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takeMS SO-DIMM 1GB, DDR3-1333, CL9 (TMS1GS364D081-139KE)

Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin • Module: 1x 1GB • JEDEC: PC3-10667S • Spannung: 1.80V • Besonderheiten: N/A • ...

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takeMS DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9 (TMS2GB364E08x-139)

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takeMS DIMM 8GB, DDR3-1333, CL9 (TMS8GB364F081-139)

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